SK海力士1Ynm DDR4芯片完成：8Gb容量，功耗降低15％
点击：507次 发布时间：2021-10-16 数据来源：东莞艾迪科
11月12日，SK海力士宣布已开发出基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。该芯片支持高达3200Mbps或3200MHz，并声称可提供最佳性能和容量密度。在技术指标方面，与1Xnm相比，1Ynm芯片的生产率提高了20％，功耗降低了15％。
SK海力士还表示，新的1Ynm芯片还显着提高了传感器的精度，调整了晶体管结构，并降低了数据传输的错误率。
据该官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年第一季度发货，将首先用于服务器和PC产品，最后用于手机和其他领域。
科普：
在存储器芯片从20 + nm进入10 + nm工艺之后，制造商对该工艺的描述不再使用特定数字。在20nm之后，它是1xnm工艺，然后是1nm工艺和1znm工艺。至于XYZ的具体含义，由于每个公司的流程不尽相同，因此没有详细说明。
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