SK海力士对外宣布将停止生产成本相对高的3D NAND初期产品－2代（36层）、3代（48层），并提高72层的生产比重。下半年则计划利用96层4D NAND产品刺激SSD、移动市场。青州新M15工厂考量目前的需求量，量产速度将比原计划慢，预计SK海力士今年的NAND晶圆投入量会比去年减少10％以上。
SK海力士对此表示，在存储器需求不确定、期待需求恢复的市场中，将集中精力在降低成本和确保品质。
未来针对DRAM领域，SK海力士将着重转换细微工程。首先将逐渐扩大第一代10纳米（1X）产量，并从下半年起，将主力产品转换为第二代10纳米（1Y）产品。同时，为支援新款服务器芯片的高用量DRAM需求，将开始供给64GB模块产品。
SK海力士目前共有四家工厂，中韩两国各有两座。中国无锡工厂最早于2006年建成投产，SK海力士迄今为止约一半的DRAM产量均来自这里。尽管目前半导体产业因为市场供大于求的情况并不乐观，但SK海力士依旧将按照原定计划进行扩张。该公司透露，扩建工厂是为了提升DRAM芯片的微加工能力，这并不会增加公司的出货量。此外，公司还承诺会继续控制投资规模以避免加剧市场供过于求的局面。
SK海力士高管还补充道，无锡工厂的扩建也是为了配合公司在京畿道龙仁市建设半导体产业园的计划。
DRAM因淡季需求放缓、服务器客户保守性购买等影响，和前一季相比，平均销售价格（ASP）下跌27％、出货量下降8％。NAND闪存则是受库存压力、同业竞争影响，平均销售价格（ASP）下跌32％、出货量下降6％。
随着之后新款智能手机采用12GB高容量DRAM，加上服务器用DRAM需求也将渐渐增加，SK海力士预期，第二季DRAM的需求将获得改善。另一方面，随着第二季进入后期，预计需求量也会逐渐恢复，NAND闪存需求将开始增加。目前NAND闪存价格已经下跌一年以上、IT对NAND的用量需求也在急速成长，未来SK海力士将扩大SSD（固态硬盘）的应用比例。